Yibi技术基材/外延缺陷检测设备α

6月4日，由Yibei Technology独立开发的基材/外延缺陷检测α-INSPEC U1000的设备已正式交付给光电行业的领先客户。这种交付具有重要意义。这不仅是YIBI在复合半导体的前通道检测领域中的重要扩展，而且是为全链检测解决方案行业提供客户的另一个成功案例（涵盖基质 - 蛋白牛晶片制造晶体制造局部大量转移式转移模块）。 1。解决工业疾病点，并全面帮助客户提高批量生产。    在生产和制造微胶片的过程中，底物和外延是晶体图案的预订过程，属于图形方案。发现脱芬的重要性和技术困难很容易被忽略。传统的LED芯片工厂通常使用人工视觉检查或显微镜样本ing。尽管引入了一些AOI发现，但精度有限，表面只能清晰，例如污垢，大颗粒和其他缺陷。随着微型行业进入大规模制造，行业对晶圆产量和成本的要求越来越高。大量LED核心颗粒的后通道故障问题通常来自底物表面上的初始缺陷或外延层的生长不良。尤其是晶粒尺寸变小，甚至低于10μm（例如AR微型播放应用），其对外延层缺陷的敏感性变高，许多类型的KR缺陷subsubsurface Faceface（传统发现方法都没有注意到这一点）。在这个行业的背景下，该行业立即需要更有效的测试方法来识别所有致命的缺陷。 Yidou知道，只能通过合并高精度的明亮田地，黑暗田地和光致发光，并使用BET来克服这个问题TER图像算法。通过提高底物/外延缺陷的检测能力，表达了材料生长阶段中主要缺陷的分布，并伴随着后期过程的数据，开发了更系统，更完整的设备故障输送机制。 2。技术突破，明显的优势和新行业的标准。由Yibei技术推出的设备α-Inspec U1000可以广泛地镀金，以检测半导体底物和外部床单的表面缺陷和晶体。该设备采用成像麦克海发光，共聚焦差异入侵成像，高分辨率的黑场成像和广泛的PL成像技术，以实现发现不同尺寸的透明样品统计结果的无接触式，非破坏性和超增强缺陷。该产品具有以下重要好处：1）并行扫描中的多通道可以更全面地诊断晶片缺陷：自由开发的主要光学机器，具有高精度，高灵敏度和高探索能力的吞吐量。在国外基准数据有很多依据。 2）匹配RGB各种材料系统检测：支持半导体化合物（例如GAA和INGAN）的地下晶体缺陷检测。 3）从底物到外延到设备，它支持覆盖和数据组合文件，并为覆盖和数据组合材料提供支持。提供了一个更清晰的收益管理途径：根据芯片的行为分区统计，并直接反映了对下游芯片的影响。支持定制超过3000万个分区的微型播放方案的2*2mm分区统计数据，4英寸晶片〜1,000 50*50*50 UM微胶片分区统计数据，用于直接显示方案，4英寸Wafers〜300W3。国内替代，转向全球市场。   近年来，Yibei技术最近推出了设备在PL M1070P Andaoi设备M107XA中，该设备通常涵盖诸如牛晶片制作和COC转移等主要链接。但是，微胶质底物/外交的国内高端缺陷检测设备仍然空白。目前，世界上只有少数制造商（例如Kelei）拥有相应的产品，但他们仍然缺乏系统体系结构和大量专用于微型场景的实用数据积累。目前交付的U1000已扩展到上游基材/扩展链路，这意味着Yibi技术已经实现了对微胶质前线产品的完整处理，为行业快速开发提供了有效而完整的产品解决方案。在基本技术的研究和开发方面，Yibei技术已建立了一个完整的独立变更系统。主要专利技术涵盖了主要链接，例如光学设备系统，图像处理算法，软件ARchitecture等。当前，一般独立利率已达到90％以上。自成立以来，Yibi技术一直在积极探索“技术共同研究 +生态共同建设”的创新模型。它在测试设备领域的重大好处，与40多个客户完成了验证。它的业务触角已扩展到国内外的120多个客户，这些客户通常可以吸引该领域的所有领先制造商，包括LED芯片工厂，工厂的巨大转让，小组工厂，微型展示模式制造商等，成功地在工业链中深入融合了工业链，并将新技术和产品带入了该行业。